- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Správy z priemyslu
Monokryštalický kremík vs. polykryštalický kremík
Monokryštálový kremík a polykryštalický kremík majú každý svoje vlastné jedinečné výhody a použiteľné scenáre. Monokryštálový kremík je vhodný pre vysokovýkonné elektronické produkty a mikroelektroniku vďaka svojim vynikajúcim elektrickým a mechanickým vlastnostiam. Na druhej strane polykryštalický ......
Čítaj viac
Substrát a epitaxia
V procese prípravy doštičky existujú dve základné väzby: jedným je príprava substrátu a druhým je implementácia epitaxného procesu. Substrát, doštička starostlivo vyrobená z polovodičového monokryštálového materiálu, sa môže priamo vložiť do procesu výroby doštičiek ako základ na výrobu polovodičový......
Čítaj viac
Silikónová doska
Kremíkový materiál je pevný materiál s určitými polovodičovými elektrickými vlastnosťami a fyzikálnou stabilitou a poskytuje substrátovú podporu pre následný proces výroby integrovaného obvodu. Je to kľúčový materiál pre integrované obvody na báze kremíka. Viac ako 95 % polovodičových zariadení a vi......
Čítaj viac
Procesný tok jadra substrátu z karbidu kremíka
Substrát karbidu kremíka je zložený polovodičový monokryštálový materiál zložený z dvoch prvkov, uhlíka a kremíka. Má vlastnosti veľkej šírky pásma, vysokej tepelnej vodivosti, vysokej kritickej intenzity prierazného poľa a vysokej rýchlosti driftu saturácie elektrónov.
Čítaj viac
Kritická úloha SiC substrátov a rast kryštálov v polovodičovom priemysle
V rámci priemyselného reťazca karbidu kremíka (SiC) majú dodávatelia substrátov významný vplyv, predovšetkým vďaka distribúcii hodnoty. Substráty SiC predstavujú 47 % z celkovej hodnoty, po ktorých nasledujú epitaxné vrstvy s 23 %, zatiaľ čo dizajn a výroba zariadenia tvoria zvyšných 30 %. Tento obr......
Čítaj viac
