> Správy > Správy z priemyslu

Správy z priemyslu

Rezanie SiC

Karbid kremíka (SiC) je veľmi obľúbený v polovodičovom priemysle pre svoje vynikajúce fyzikálne a chemické vlastnosti. Vysoká tvrdosť a krehkosť SiC však predstavuje značné problémy pri jeho spracovaní.

Čítaj viac

Procesný tok jadra substrátu z karbidu kremíka

Substrát karbidu kremíka je zložený polovodičový monokryštálový materiál zložený z dvoch prvkov, uhlíka a kremíka. Má vlastnosti veľkej šírky pásma, vysokej tepelnej vodivosti, vysokej kritickej intenzity prierazného poľa a vysokej rýchlosti driftu saturácie elektrónov.

Čítaj viac

Kritická úloha SiC substrátov a rast kryštálov v polovodičovom priemysle

V rámci priemyselného reťazca karbidu kremíka (SiC) majú dodávatelia substrátov významný vplyv, predovšetkým vďaka distribúcii hodnoty. Substráty SiC predstavujú 47 % z celkovej hodnoty, po ktorých nasledujú epitaxné vrstvy s 23 %, zatiaľ čo dizajn a výroba zariadenia tvoria zvyšných 30 %. Tento obr......

Čítaj viac

Aplikácia SiC a GaN v elektrických vozidlách

SiC MOSFET sú tranzistory, ktoré ponúkajú vysokú hustotu výkonu, zlepšenú účinnosť a nízku poruchovosť pri vysokých teplotách. Tieto výhody SiC MOSFET prinášajú množstvo výhod pre elektrické vozidlá (EV), vrátane dlhšieho dojazdu, rýchlejšieho nabíjania a potenciálne lacnejších batériových elektrick......

Čítaj viac

Polovodiče 4. generácie Oxid gália/β-Ga2O3

Prvú generáciu polovodičových materiálov predstavuje najmä kremík (Si) a germánium (Ge), ktoré začali stúpať v 50. rokoch minulého storočia. Germánium bolo v počiatkoch dominantné a používalo sa hlavne v nízkonapäťových, nízkofrekvenčných, stredne výkonných tranzistoroch a fotodetektoroch, no kvôli ......

Čítaj viac

Epitaxný rast bez defektov a chybné dislokácie

Epitaxný rast bez defektov nastáva, keď jedna kryštálová mriežka má takmer identické mriežkové konštanty ako iná. K rastu dochádza, keď sú mriežkové miesta dvoch mriežok v oblasti rozhrania približne zhodné, čo je možné s malým nesúladom mriežky (menej ako 0,1 %). Toto približné prispôsobenie sa dos......

Čítaj viac

<...14 15 16 17 18...31 >