Nosič SIC pre ICP

Vykonané tak, aby vyhovovali nekompromisným požiadavkám nástrojov ETCH a depozičných nástrojov INDOCTIONALY coupledPlasma (ICP), semicorexsic potiahnuté grafitovým nosičom pre ICP pre ICP poskytuje zriedkavú rovnováhu v plazmatickej odolnosti, tepelnej presnosti a mechanickej stabilite. Vo svojom jadre spočíva patentovaný, substrát s malým šaržem, ktorého kryštálová orientácia je pevne kontrolovaná tak, aby sa vytvorila mimoriadne anizotropné správanie: tepelná vodivosť v rovine ďaleko prevyšuje konvenčné izostatické stupne, zatiaľ čo dráha priechodnej roviny zostáva úmyselne moderovaná tak, aby potlačila horúci škvrny na nohách. Toto smerové riadenie tepelných tokov zaisťuje, že každá matrica na oblátka 150 mm až 300 mm má rovnováhu rovnomerného teploty a rovnováha ustáleného stavu, ktorá sa priamo prekladá do užších distribúcií kritického rozmeru (CD) a vyšších výnosov zariadenia.

Omotaný okolo tohto ultra -purového grafitu je konformná vrstva kremíkovej karbidu, ktorá je závislá vo vysokej teplote CVD pece. Poter SIC - chemicky inertný až 2 000 ° C a môže sa pochváliť mikro -odpor menšou ako 0,1% - formuje nepriepustný štít proti fluórum, chlórovým a brómovým radikálom bežným v chemikáciách ICP s vysokou hustotou. Testovanie vytrvalosti na dlhé dudanie v plazme CF₄/O₂, CL₂/BCL₃ a HBR/He preukázalo mieru erózie pod 0,3 µmper 100 hodinami, čím sa rozšírila životnosť dopravných služieb výrazne nad rámec priemyselných noriem a drasticky znížila prestoje preventívnej údržby.

Dimenzionálna presnosť je rovnako nekompromisná: povrchová rovinnosť je regulovaná v rámci ± 5 µm v celej oblasti s vreckom, zatiaľ čo vlastnosti vylúčenia okrajov sú laserom, aby sa chránil obvod oblátky pred mikroprenutím. Tesná tolerancia spojená s tvrdosťou takmer Diamondovej povlaku SIC odoláva tvorbe častíc pri mechanickom upínaní a cyklovaní elektrostatickej chyby, chránenie procesov uzlov Sub -10NM pred kontamináciou defektov zabíjania. V prípade reaktorov ICP s vysokým výkonom podporuje nízka elektrická rezistencia nosiča (<40 Ω · m) rýchlu stabilizáciu základnej roviny RF, čo minimalizuje kolísanie napätia plášťov, ktoré môžu inak erodovať fotorezistické profily alebo vyvolať mikromasovanie.

Každá šarža Semicorex Carrier prechádza komplexnou metrológiou - mapovanie Ramanu na overenie grafitového kryštalografického zarovnania, prierezovanie SEM, aby sa potvrdila integrita vrstvy SIC a analýza zvyškovej Gas na certifikáciu prahov nečistoty na úrovni PPM. Pretože trváme na výrobe mikropodnikov (menej ako 20 kusov za beh), grafy riadenia štatistických procesov zostávajú mimoriadne tesné, čo nám umožňuje zaručiť reprodukovateľnosť oblátkov, ktoré dodávatelia hromadného trhu jednoducho nemôžu zladiť. Vlastné geometrie, vreckové hĺbky a chladiace kanály na zadnej strane sú k dispozícii s dodacími časmi až tromi týždňami, čo umožňuje OEM zariadenia a Fabs s vysokým pokynom na optimalizáciu receptov komory bez prepracovania celých hardvérových stohov.

Spojením svetového anizotropného grafitu s hermetickým brnením SIC poskytuje SemiCorex SIC Carrier pre ICP FABS s dlhým živým, kontamináciou a tepelnou rovnomernou platformou - ktorá nielenže odoláva najtvrdším plazmovým prostredím, ale aktívne zvyšuje šírku okna a výkonnosť. Pre výrobcov zariadení, ktorí sa usilujú o to, aby sa stále pritiahli šírky línií, strmšie profily a nižšie náklady na vlastníctvo, je to nositeľ výberu, kde sa počíta každý mikrón, každá doštička a každú hodinu prevádzky.