Grafitový podnos potiahnutý SiC

Ako primárny komponent epitaxnej výbavy jeGrafitový podnos potiahnutý SiC, priamo ovplyvňuje efektivitu produkcie, uniformitu a mieru defektov rastu epitaxnej vrstvy.    

Prostredníctvom čistenia grafitu, presného spracovania a čistenia môže povrch grafitového substrátu dosiahnuť vynikajúcu rovinnosť a hladkosť, čím sa úspešne zabráni riziku kontaminácie časticami. Prostredníctvom chemického nanášania pár podlieha povrch grafitového substrátu chemickej reakcii s reaktívnym plynom, čím sa vytvorí hustý, bezpórový a rovnomerne hrubý povlak karbidu kremíka (SiC). Od prípravy substrátu až po povrchovú úpravu sa celý výrobný proces uskutočňuje v čistej miestnosti triedy 100, ktorá spĺňa štandardy čistoty vhodné pre polovodiče.

Grafitová vaňa potiahnutá SiC, ktorá je vyrobená z vysoko čistého grafitu s nízkym obsahom nečistôt a materiálov SiC, má vynikajúcu tepelnú vodivosť a nízky koeficient tepelnej rozťažnosti. Nielenže umožňuje grafitovej tácke potiahnutej SiC rýchlo a rovnomerne prenášať teplo, aby sa zlepšila kvalita rastu epitaxnej vrstvy, ale tiež účinne znižuje riziko odlupovania alebo praskania povlaku v dôsledku tepelného namáhania. Okrem toho je rovnomerný a hustý povlak SiC odolný voči vysokým teplotám, oxidácii a korózii, čo zaisťuje stabilnú prevádzku po dlhú dobu v podmienkach vysokej teploty a korozívnych plynov.

Grafitová tácka potiahnutá SiC má vyššiu kompatibilitu so zariadením na nanášanie organických kovov z plynnej fázy (MOCVD). Bol starostlivo dimenzovaný a navrhnutý tak, aby sa prispôsobil rôznym procesným parametrom a požiadavkám na vybavenie. Semicorex vždy trvá na tom, že našim váženým zákazníkom ponúkame profesionálne prispôsobené služby, aby sme presne splnili ich požiadavky na rôzne veľkosti, hrúbky povlaku a drsnosť povrchu grafitovej vaničky s povlakom SiC.