SiC ICP leptacia doska

Semicorex SiC ICP leptacia doska spĺňa požiadavky priemyslu tým, že ponúka výnimočnú tepelnú vodivosť, vynikajúcu tvrdosť a pozoruhodnú chemickú stabilitu, vďaka čomu je preferovanou voľbou pre pokročilú výrobu polovodičov.

Karbid kremíka je známy svojou mimoriadnou tepelnou vodivosťou, kľúčovým atribútom pri výrobe polovodičov. Táto vlastnosť umožňuje SiC ICP leptacej doske efektívne odvádzať teplo generované počas procesu leptania a udržiavať optimálne prevádzkové teploty. Efektívnym riadením tepla, SiC ICP Etching Plate minimalizuje riziko prehriatia a zaisťuje konzistentný výkon a spoľahlivosť, a to aj vo vysokovýkonných aplikáciách. Toto tepelné riadenie je nevyhnutné pre zachovanie integrity procesu leptania a dosiahnutie vysoko kvalitných výsledkov.

Ďalšou výnimočnou vlastnosťou leptacej dosky SiC ICP je jej vynikajúca tvrdosť a odolnosť proti opotrebeniu. Ako jeden z najtvrdších dostupných materiálov vykazuje karbid kremíka výnimočnú odolnosť voči oderu a mechanickému opotrebovaniu. Táto vlastnosť je obzvlášť cenná v prostredí plazmového leptania, kde je leptacia platňa vystavená agresívnym chemickým a fyzikálnym podmienkam. Odolnosť leptacej dosky SiC ICP sa premieta do dlhšej životnosti, znížených prestojov a nižších nákladov na údržbu, čo z nej robí nákladovo efektívne riešenie pre veľkoobjemovú výrobu.

Okrem svojich tepelných a mechanických vlastností ponúka SiC ICP leptacia doska vynikajúcu chemickú stabilitu. Karbid kremíka je vysoko odolný voči korózii a chemickému napadnutiu, čo zabezpečuje, že si zachováva svoju štrukturálnu integritu a výkon aj v drsnom chemickom prostredí. Táto odolnosť voči chemickej degradácii je rozhodujúca pre zachovanie presnosti a presnosti procesu leptania, pretože akýkoľvek kompromis v integrite leptacej dosky môže viesť k poruchám vo vyrábaných polovodičových zariadeniach.