Semicorex poskytuje polovodičovú keramiku pre vaše nástroje na polovýrobu OEM a komponenty na manipuláciu s plátkami so zameraním na vrstvy karbidu kremíka v polovodičovom priemysle. Už mnoho rokov sme výrobcom a dodávateľom nosiča Silicon Wafer Carrier. Náš nosič Silicon Wafer Carrier má dobrú cenovú výhodu a pokrýva väčšinu európskych a amerických trhov. Tešíme sa, že sa staneme vaším dlhodobým partnerom v Číne.
Procesy nanášania polovodičov využívajú kombináciu prchavých prekurzorových plynov, plazmy a vysokej teploty na vrstvenie vysokokvalitných tenkých vrstiev na doštičky. Nanášacie komory a nástroje na manipuláciu s plátkami potrebujú odolné keramické komponenty, aby obstáli v týchto náročných prostrediach.
Semicorex Silicon Wafer Carrier je vysoko čistý karbid kremíka, ktorý má vysokú odolnosť proti korózii a teplu, ako aj vynikajúcu tepelnú vodivosť.
Parametre nosiča kremíkovej doštičky
Technické vlastnosti |
||||
Index |
Jednotka |
Hodnota |
||
Názov materiálu |
Reakčný spekaný karbid kremíka |
Beztlakový spekaný karbid kremíka |
Rekryštalizovaný karbid kremíka |
|
Zloženie |
RBSiC |
SSiC |
R-SiC |
|
Objemová hustota |
g/cm3 |
3 |
3,15 ± 0,03 |
2,60-2,70 |
Pevnosť v ohybe |
MPa (kpsi) |
338 (49) |
380 (55) |
80-90 (20 °C) 90-100 (1400 °C) |
Pevnosť v tlaku |
MPa (kpsi) |
1120(158) |
3970(560) |
> 600 |
Tvrdosť |
Tlačidlo |
2700 |
2800 |
/ |
Prelomenie húževnatosti |
MPa m1/2 |
4.5 |
4 |
/ |
Tepelná vodivosť |
W/m.k |
95 |
120 |
23 |
Koeficient tepelnej rozťažnosti |
10-60,1/°C |
5 |
4 |
4.7 |
Špecifické teplo |
Joule/g 0k |
0.8 |
0.67 |
/ |
Maximálna teplota vzduchu |
℃ |
1200 |
1500 |
1600 |
Modul pružnosti |
Gpa |
360 |
410 |
240 |
Rozdiel medzi SSiC a RBSiC:
1. Proces spekania je odlišný. RBSiC má infiltrovať voľný Si do karbidu kremíka pri nízkej teplote, SSiC vzniká prirodzeným zmršťovaním pri 2100 stupňoch.
2. SSiC majú hladší povrch, vyššiu hustotu a vyššiu pevnosť, pre niektoré tesnenia s prísnejšími požiadavkami na povrch budú SSiC lepšie.
3. Rôzny použitý čas pri rôznych PH a teplote, SSiC je dlhší ako RBSiC
Vlastnosti silikónového nosiča
Vysoko čistý grafit potiahnutý SiC
Vynikajúca tepelná odolnosť a tepelná rovnomernosť
Jemný kryštál SiC potiahnutý pre hladký povrch
Vysoká odolnosť proti chemickému čisteniu
Materiál je navrhnutý tak, aby nedochádzalo k prasklinám a delaminácii.
Dostupné tvary keramiky z karbidu kremíka:
● Keramická tyč / keramický kolík / keramický piest
● Keramická trubica / keramická objímka / keramická manžeta
● Keramický krúžok / keramická podložka / keramická rozpera
● Keramický disk
● Keramická doska / keramický blok
● Keramická guľa
● Keramický piest
● Keramická tryska
● Keramický téglik
● Ďalšie zákazkové keramické diely